メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2.9A, 2.1A
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
3.9nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
190pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
8-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN (3x2)