DF23MR12W1M1B11BOMA1 価格設定（USD） [998個在庫]
- 1 pcs$46.57521
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET MODULE 1200V 25A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies DF23MR12W1M1B11BOMA1 electronic components. DF23MR12W1M1B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DF23MR12W1M1B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DF23MR12W1M1B11BOMA1 製品の属性
品番 :
DF23MR12W1M1B11BOMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET MODULE 1200V 25A
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
25A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 25A, 15V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 10mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
620nC @ 15V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2000pF @ 800V
パワー-最大 :
20mW
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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