SI1902CDL-T1-GE3 価格設定（USD） [659949個在庫]
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- 品番:
- SI1902CDL-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-GE3 electronic components. SI1902CDL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1902CDL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1902CDL-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI1902CDL-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.1A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
235 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
62pF @ 10V
パワー-最大 :
420mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-6 (SOT-363)
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