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ON Semiconductor - NTHD3102CT1G

KEY Part #: K6525008

NTHD3102CT1G 価格設定（USD） [355350個在庫]

  • 1 pcs$0.10461
  • 3,000 pcs$0.10409
品番:
NTHD3102CT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTHD3102CT1G electronic components. NTHD3102CT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTHD3102CT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTHD3102CT1G 製品の属性

品番 : NTHD3102CT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4A, 3.1A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 7.9nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 510pF @ 10V
パワー-最大 : 1.1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ : ChipFET™

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