Vishay Siliconix - SI6926ADQ-T1-E3

KEY Part #: K6525046

SI6926ADQ-T1-E3 価格設定(USD) [250794個在庫]

  • 1 pcs$0.14748
  • 3,000 pcs$0.12490

品番:
SI6926ADQ-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI6926ADQ-T1-E3 electronic components. SI6926ADQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6926ADQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6926ADQ-T1-E3 製品の属性

品番 : SI6926ADQ-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.1A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10.5nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : 830mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-TSSOP

あなたも興味があるかもしれません
  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.