SIZ998DT-T1-GE3 価格設定（USD） [136467個在庫]
- 1 pcs$0.27104
- 品番:
- SIZ998DT-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 electronic components. SIZ998DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ998DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ998DT-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIZ998DT-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
パワー-最大 :
20.2W, 32.9W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PowerPair®
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