SIZ998DT-T1-GE3 価格設定（USD） [136467個在庫]
- 1 pcs$0.27104
- 品番:
- SIZ998DT-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 electronic components. SIZ998DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ998DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIZ998DT-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIZ998DT-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual), Schottky
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
930pF @ 15V, 2620pF @ 15V
パワー-最大 :
20.2W, 32.9W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PowerPair®
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