DMN2016UFX-7 価格設定（USD） [307746個在庫]
- 1 pcs$0.12019
- 品番:
- DMN2016UFX-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET BVDSS 8V-24V V-DFN2050-4.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2016UFX-7 electronic components. DMN2016UFX-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2016UFX-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2016UFX-7 製品の属性
品番 :
DMN2016UFX-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET BVDSS 8V-24V V-DFN2050-4
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
24V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.9A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
950pF @ 10V
パワー-最大 :
1.07W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
4-VFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
V-DFN2050-4
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