Vishay Siliconix - SI6975DQ-T1-GE3

KEY Part #: K6522260

SI6975DQ-T1-GE3 価格設定(USD) [114503個在庫]

  • 1 pcs$0.32464
  • 3,000 pcs$0.32302

品番:
SI6975DQ-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI6975DQ-T1-GE3 electronic components. SI6975DQ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6975DQ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI6975DQ-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI6975DQ-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 450mV @ 5mA (Min)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : 830mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-TSSOP

あなたも興味があるかもしれません
  • FDG6318PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

  • SI6975DQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.

  • SI6975DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.

  • DMG6968UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP.

  • DMP2035UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP.

  • AO8810

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.