Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6L35FE,LM

KEY Part #: K6523188

SSM6L35FE,LM 価格設定(USD) [1298908個在庫]

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品番:
SSM6L35FE,LM
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6L35FE,LM 製品の属性

品番 : SSM6L35FE,LM
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 180mA, 100mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9.5pF @ 3V
パワー-最大 : 150mW
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ : ES6 (1.6x1.6)

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