BSS8402DWQ-7 価格設定（USD） [545473個在庫]
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- 品番:
- BSS8402DWQ-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 60V/50V.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated BSS8402DWQ-7 electronic components. BSS8402DWQ-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS8402DWQ-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSS8402DWQ-7 製品の属性
品番 :
BSS8402DWQ-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N/P-CH 60V/50V
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V, 50V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
115mA, 130mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
50pF @ 25V
パワー-最大 :
200mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-363
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