[3727個在庫]
- 品番:
- IRF9953TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF9953TR electronic components. IRF9953TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF9953TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF9953TR 製品の属性
品番 :
IRF9953TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
250 mOhm @ 1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
12nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
190pF @ 15V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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