Central Semiconductor Corp - CTLDM303N-M832DS BK

KEY Part #: K6523354

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品番:: CTLDM303N-M832DS BK

メーカー:: Central Semiconductor Corp

詳細な説明:: MOSFET DUAL N-CHANNEL.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

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家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Central Semiconductor Corp CTLDM303N-M832DS BK electronic components. CTLDM303N-M832DS BK can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CTLDM303N-M832DS BK, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

CTLDM303N-M832DS BK 製品の属性

品番 : CTLDM303N-M832DS BK

メーカー : Central Semiconductor Corp

説明 : MOSFET DUAL N-CHANNEL

シリーズ : -

部品ステータス : Obsolete

FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)

FET機能 : Standard

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 3.6A (Ta)

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 40 mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs（th）（最大）@ Id : 1.25V @ 250µA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 13nC @ 4.5V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 590pF @ 10V

パワー-最大 : 1.65W

動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 8-TDFN Exposed Pad

サプライヤーデバイスパッケージ : TLM832DS

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