Infineon Technologies - BSC0923NDIATMA1

KEY Part #: K6525311

BSC0923NDIATMA1 価格設定(USD) [185285個在庫]

  • 1 pcs$0.19962
  • 5,000 pcs$0.19164

品番:
BSC0923NDIATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies BSC0923NDIATMA1 electronic components. BSC0923NDIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0923NDIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0923NDIATMA1 製品の属性

品番 : BSC0923NDIATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 : Logic Level Gate, 4.5V Drive
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 17A, 32A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 10nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1160pF @ 15V
パワー-最大 : 1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TISON-8

あなたも興味があるかもしれません