[4038個在庫]
- 品番:
- UPA2670T1R-E2-AX
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America UPA2670T1R-E2-AX electronic components. UPA2670T1R-E2-AX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UPA2670T1R-E2-AX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
UPA2670T1R-E2-AX 製品の属性
品番 :
UPA2670T1R-E2-AX
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate, 1.8V Drive
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
79 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5.1nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
473pF @ 10V
パワー-最大 :
2.3W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-HUSON (2x2)
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