Infineon Technologies - IRF7910TRPBF

KEY Part #: K6525231

IRF7910TRPBF 価格設定(USD) [139505個在庫]

  • 1 pcs$0.26514
  • 4,000 pcs$0.22657

品番:
IRF7910TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF7910TRPBF electronic components. IRF7910TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7910TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7910TRPBF 製品の属性

品番 : IRF7910TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 12V 10A 8SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 15 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 26nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1730pF @ 6V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

あなたも興味があるかもしれません
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • SP8J65TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC.

  • SQ4917EY-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO.

  • SP8K2TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC.