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- 品番:
- SI6924AEDQ-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI6924AEDQ-T1-E3 electronic components. SI6924AEDQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6924AEDQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI6924AEDQ-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI6924AEDQ-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
28V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.1A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
33 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-TSSOP
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