Nexperia USA Inc. - BUK9K45-100E,115

KEY Part #: K6523208

BUK9K45-100E,115 価格設定(USD) [179365個在庫]

  • 1 pcs$0.20621
  • 1,500 pcs$0.20615

品番:
BUK9K45-100E,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. BUK9K45-100E,115 electronic components. BUK9K45-100E,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9K45-100E,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9K45-100E,115 製品の属性

品番 : BUK9K45-100E,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET 2N-CH 100V 21A LFPAK56D
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 42 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2152pF @ 25V
パワー-最大 : 53W
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-1205, 8-LFPAK56
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56D

あなたも興味があるかもしれません
  • DMC25D0UVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 25V/30V TSOT26.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.