ON Semiconductor - FDC6312P

KEY Part #: K6525285

FDC6312P 価格設定(USD) [590450個在庫]

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品番:
FDC6312P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC6312P 製品の属性

品番 : FDC6312P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
シリーズ : PowerTrench®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.3A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 467pF @ 10V
パワー-最大 : 700mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6

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