SH8M4TB1 価格設定（USD） [123476個在庫]
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- 品番:
- SH8M4TB1
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SH8M4TB1 electronic components. SH8M4TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8M4TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SH8M4TB1 製品の属性
品番 :
SH8M4TB1
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A, 7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1190pF @ 10V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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