SH8M4TB1 価格設定（USD） [123476個在庫]
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- 品番:
- SH8M4TB1
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SH8M4TB1 electronic components. SH8M4TB1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8M4TB1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SH8M4TB1 製品の属性
品番 :
SH8M4TB1
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A, 7A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
18 mOhm @ 9A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
15nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1190pF @ 10V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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