DMN63D1LDW-13 価格設定（USD） [1192875個在庫]
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- 10,000 pcs$0.02784
- 品番:
- DMN63D1LDW-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN63D1LDW-13 electronic components. DMN63D1LDW-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN63D1LDW-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN63D1LDW-13 製品の属性
品番 :
DMN63D1LDW-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
250mA
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.3nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
30pF @ 25V
パワー-最大 :
310mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23
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