BSM080D12P2C008 価格設定（USD） [302個在庫]
- 1 pcs$153.19229
- 10 pcs$147.91004
- 品番:
- BSM080D12P2C008
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- SIC POWER MODULE-1200V-80A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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BSM080D12P2C008 製品の属性
品番 :
BSM080D12P2C008
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
SIC POWER MODULE-1200V-80A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Silicon Carbide (SiC)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V (1.2kV)
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 13.2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
800pF @ 10V
パワー-最大 :
600W
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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