SI4936CDY-T1-E3 価格設定（USD） [344842個在庫]
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- 2,500 pcs$0.10093
- 品番:
- SI4936CDY-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4936CDY-T1-E3 electronic components. SI4936CDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4936CDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4936CDY-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI4936CDY-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SO
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
40 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
325pF @ 15V
パワー-最大 :
2.3W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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