Vishay Siliconix - SIA533EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6525116

SIA533EDJ-T1-GE3 価格設定(USD) [383787個在庫]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

品番:
SIA533EDJ-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIA533EDJ-T1-GE3 electronic components. SIA533EDJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA533EDJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA533EDJ-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIA533EDJ-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 12V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 420pF @ 6V
パワー-最大 : 7.8W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Dual

あなたも興味があるかもしれません
  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.