SP8M5FRATB 価格設定（USD） [130982個在庫]
- 1 pcs$0.28239
- 品番:
- SP8M5FRATB
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- 4V DRIVE NCHPCH MOSFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SP8M5FRATB electronic components. SP8M5FRATB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SP8M5FRATB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SP8M5FRATB 製品の属性
品番 :
SP8M5FRATB
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
4V DRIVE NCHPCH MOSFET
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6A (Ta), 7A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
520pF @ 10V, 2600pF @ 10V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOP
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