DMTH6010LPD-13 価格設定（USD） [153564個在庫]
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- 2,500 pcs$0.21317
- 品番:
- DMTH6010LPD-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH6010LPD-13 electronic components. DMTH6010LPD-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH6010LPD-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH6010LPD-13 製品の属性
品番 :
DMTH6010LPD-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
40.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2615pF @ 30V
パワー-最大 :
2.8W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8
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