Infineon Technologies - IRF7301PBF

KEY Part #: K6524642

IRF7301PBF 価格設定(USD) [3764個在庫]

  • 95 pcs$0.32622

品番:
IRF7301PBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF7301PBF electronic components. IRF7301PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7301PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7301PBF 製品の属性

品番 : IRF7301PBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.2A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 700mV @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 660pF @ 15V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5852TR

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

  • IRF5850TR

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP.

  • IRF5851TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP.

  • IRF5810TR

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • IRF5852

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

  • IRF5810

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP.