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- 品番:
- IRF5810TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5810TR electronic components. IRF5810TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5810TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5810TR 製品の属性
品番 :
IRF5810TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
650pF @ 16V
パワー-最大 :
960mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
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