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- 品番:
- IRF5810TR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5810TR electronic components. IRF5810TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5810TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5810TR 製品の属性
品番 :
IRF5810TR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.6nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
650pF @ 16V
パワー-最大 :
960mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-TSOP
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