Central Semiconductor Corp - CTLDM7120-M832DS TR

KEY Part #: K6523277

CTLDM7120-M832DS TR 価格設定(USD) [23004個在庫]

  • 3,000 pcs$0.13878

品番:
CTLDM7120-M832DS TR
メーカー:
Central Semiconductor Corp
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 20V 1A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Central Semiconductor Corp CTLDM7120-M832DS TR electronic components. CTLDM7120-M832DS TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CTLDM7120-M832DS TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CTLDM7120-M832DS TR 製品の属性

品番 : CTLDM7120-M832DS TR
メーカー : Central Semiconductor Corp
説明 : MOSFET 2N-CH 20V 1A
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.2V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 220pF @ 10V
パワー-最大 : 1.65W
動作温度 : -65°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-TDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ : TLM832DS
あなたも興味があるかもしれません
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • AO8804L

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.