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ON Semiconductor - NTMD6P02R2G

KEY Part #: K6523315

NTMD6P02R2G 価格設定（USD） [242232個在庫]

  • 1 pcs$0.15269
  • 2,500 pcs$0.15058
品番:
NTMD6P02R2G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMD6P02R2G electronic components. NTMD6P02R2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMD6P02R2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMD6P02R2G 製品の属性

品番 : NTMD6P02R2G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 33 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id : 1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 35nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1700pF @ 16V
パワー-最大 : 750mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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