SSM6N57NU,LF 価格設定（USD） [699747個在庫]
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- 品番:
- SSM6N57NU,LF
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N57NU,LF electronic components. SSM6N57NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N57NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM6N57NU,LF 製品の属性
品番 :
SSM6N57NU,LF
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
46 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
310pF @ 10V
パワー-最大 :
1W
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-µDFN(2x2)
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