[4179個在庫]
- 品番:
- EPC2101ENG
- メーカー:
- EPC
- 詳細な説明:
- GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
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EPC2101ENG 製品の属性
品番 :
EPC2101ENG
メーカー :
EPC
説明 :
GAN TRANS 2N-CH 60V BUMPED DIE
シリーズ :
eGaN®
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.5A, 38A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 2mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.7nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
300pF @ 30V
パワー-最大 :
-
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
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