メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
6A (Ta)
Vgs(th)(最大)@ Id :
1.3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
37nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
3333pF @ 10V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
4-XFBGA, WLBGA
サプライヤーデバイスパッケージ :
X1-WLB1818-4