Diodes Incorporated - DMN2023UCB4-7

KEY Part #: K6521974

DMN2023UCB4-7 価格設定(USD) [333981個在庫]

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品番:
DMN2023UCB4-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2023UCB4-7 製品の属性

品番 : DMN2023UCB4-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 24V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 37nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3333pF @ 10V
パワー-最大 : 1.45W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 4-XFBGA, WLBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : X1-WLB1818-4

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