ON Semiconductor - NTJD4105CT1G

KEY Part #: K6525049

NTJD4105CT1G 価格設定(USD) [797283個在庫]

  • 1 pcs$0.04639
  • 3,000 pcs$0.04503

品番:
NTJD4105CT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTJD4105CT1G electronic components. NTJD4105CT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTJD4105CT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTJD4105CT1G 製品の属性

品番 : NTJD4105CT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V, 8V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 630mA, 775mA
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 375 mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 46pF @ 20V
パワー-最大 : 270mW
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-88/SC70-6/SOT-363

あなたも興味があるかもしれません
  • FDG1024NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 1.2A SC70-6.

  • 2N7002DW

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6.

  • SIL2301-TP

    Micro Commercial Co

    P-CHANNELMOSFETSSOT23-6L PACKA.

  • FDY1002PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.83A SC89-6.

  • SI6926ADQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP.

  • IRF7509TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8.