AUIRF7343QTR 価格設定（USD） [111089個在庫]
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- 4,000 pcs$0.30541
- 品番:
- AUIRF7343QTR
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies AUIRF7343QTR electronic components. AUIRF7343QTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AUIRF7343QTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
AUIRF7343QTR 製品の属性
品番 :
AUIRF7343QTR
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.7A, 3.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
36nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
740pF @ 25V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
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