[3853個在庫]
- 品番:
- SIB911DK-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIB911DK-T1-E3 electronic components. SIB911DK-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB911DK-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIB911DK-T1-E3 製品の属性
品番 :
SIB911DK-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.6A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
295 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
115pF @ 10V
パワー-最大 :
3.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-75-6L Dual
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