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- 品番:
- SI1958DH-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1958DH-T1-E3 electronic components. SI1958DH-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1958DH-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1958DH-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI1958DH-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
205 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.6V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3.8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
105pF @ 10V
パワー-最大 :
1.25W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-6 (SOT-363)
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