Vishay Siliconix - SIA907EDJT-T1-GE3

KEY Part #: K6523272

SIA907EDJT-T1-GE3 価格設定(USD) [431769個在庫]

  • 1 pcs$0.08567
  • 3,000 pcs$0.08092

品番:
SIA907EDJT-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIA907EDJT-T1-GE3 electronic components. SIA907EDJT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA907EDJT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA907EDJT-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIA907EDJT-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 P-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.5A (Tc)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 23nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
パワー-最大 : 7.8W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-70-6 Dual

あなたも興味があるかもしれません
  • SI1539DDL-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 30V SC70-6.

  • SM6K2T110

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457.

  • ZXMC3AMCTA

    Diodes Incorporated

    MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN.

  • IRF7501TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 2.4A MICRO8.

  • SI4288DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO.

  • SH8K32TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 60V 4.5A SOP8.