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- 品番:
- SI5509DC-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5509DC-T1-E3 electronic components. SI5509DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5509DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5509DC-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI5509DC-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.1A, 4.8A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.6nC @ 5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
455pF @ 10V
パワー-最大 :
4.5W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ :
1206-8 ChipFET™
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