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ON Semiconductor - NDS8852H

KEY Part #: K6524775

[3718個在庫]

    品番:
    NDS8852H
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
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    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NDS8852H electronic components. NDS8852H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDS8852H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NDS8852H 製品の属性

    品番 : NDS8852H
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N and P-Channel
    FET機能 : Logic Level Gate
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 4.3A, 3.4A
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 80 mOhm @ 3.4A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 2.8V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 25nC @ 10V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 300pF @ 15V
    パワー-最大 : 1W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOIC

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