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- 品番:
- FDMJ1028N
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDMJ1028N electronic components. FDMJ1028N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDMJ1028N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDMJ1028N 製品の属性
品番 :
FDMJ1028N
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 3.2A 6-MICROFET
シリーズ :
PowerTrench®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
90 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
3nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
200pF @ 10V
パワー-最大 :
800mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-WFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-MicroFET (2x2)
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