Infineon Technologies - IRF7379TR

KEY Part #: K6524755

[3726個在庫]


    品番:
    IRF7379TR
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7379TR electronic components. IRF7379TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7379TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7379TR 製品の属性

    品番 : IRF7379TR
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
    シリーズ : HEXFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N and P-Channel
    FET機能 : Standard
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.8A, 4.3A
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 45 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 25nC @ 10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 520pF @ 25V
    パワー-最大 : 2.5W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

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