Diodes Incorporated - DMN3270UVT-7

KEY Part #: K6522316

DMN3270UVT-7 価格設定(USD) [588998個在庫]

  • 1 pcs$0.06280

品番:
DMN3270UVT-7
メーカー:
Diodes Incorporated
詳細な説明:
MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3270UVT-7 electronic components. DMN3270UVT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3270UVT-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3270UVT-7 製品の属性

品番 : DMN3270UVT-7
メーカー : Diodes Incorporated
説明 : MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.6A (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 270 mOhm @ 650mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 900mV @ 40µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 3.07nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 161pF @ 15V
パワー-最大 : 760mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ : TSOT-26

あなたも興味があるかもしれません
  • FDG6318PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

  • SI6975DQ-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.

  • SI6975DQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP.

  • DMP2035UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP.

  • AO8810

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.

  • AO8822

    Alpha & Omega Semiconductor Inc.

    MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-TSSOP.