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- 品番:
- BSO303PNTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies BSO303PNTMA1 electronic components. BSO303PNTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO303PNTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSO303PNTMA1 製品の属性
品番 :
BSO303PNTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET 2P-CH 30V 8.2A 8DSO
シリーズ :
OptiMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.2A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
21 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
72.5nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1761pF @ 25V
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
P-DSO-8
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