Vishay Siliconix - SI4210DY-T1-GE3

KEY Part #: K6524863

SI4210DY-T1-GE3 価格設定(USD) [3690個在庫]

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品番:
SI4210DY-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4210DY-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI4210DY-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual)
FET機能 : Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.5A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 35.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 445pF @ 15V
パワー-最大 : 2.7W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO

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