NTMFD4C87NT1G 価格設定（USD） [37953個在庫]
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- 品番:
- NTMFD4C87NT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 30V 8DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTMFD4C87NT1G electronic components. NTMFD4C87NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFD4C87NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMFD4C87NT1G 製品の属性
品番 :
NTMFD4C87NT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Last Time Buy
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11.7A, 14.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
22.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1252pF @ 15V
パワー-最大 :
1.1W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN (5x6)
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