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ON Semiconductor - NTMFD4C87NT1G

KEY Part #: K6525042

NTMFD4C87NT1G 価格設定（USD） [37953個在庫]

  • 1 pcs$1.03535
  • 1,500 pcs$1.03020
品番:
NTMFD4C87NT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFD4C87NT1G electronic components. NTMFD4C87NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFD4C87NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFD4C87NT1G 製品の属性

品番 : NTMFD4C87NT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
FETタイプ : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 11.7A, 14.9A
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 5.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 22.2nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1252pF @ 15V
パワー-最大 : 1.1W
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-DFN (5x6)

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