SQJ244EP-T1_GE3 価格設定（USD） [144991個在庫]
- 1 pcs$0.25510
- 品番:
- SQJ244EP-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ244EP-T1_GE3 electronic components. SQJ244EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ244EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ244EP-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJ244EP-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET DUAL N-CHA 40V PPAK SO-8L
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11 mOhm @ 4A, 10V, 4.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V, 45nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V
パワー-最大 :
27W (Tc), 48W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
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