[4656個在庫]
- 品番:
- SI4967DY-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4967DY-T1-GE3 electronic components. SI4967DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4967DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4967DY-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI4967DY-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
2 P-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
450mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
55nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
パワー-最大 :
2W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NDS8936
- BUK7K6R2-40E/CX
- UPA2350T1P-E4-A
- NTZD3155CT1H
- NTZD5110NT5G
- AON2801L
- SSM6P35FE,LM
- AO4914_101
- EFC6611R-A-TF
- EMH2407-S-TL-H
- JANTX2N7334
- AON6938
- MCH6662-TL-H
- SIZ700DT-T1-GE3
- SI7911DN-T1-GE3
- SI4906DY-T1-GE3
- SP8M7FU6TB
- FDD8424H_F085
- IRF7750TRPBF
- SI7872DP-T1-E3
- SI7842DP-T1-E3
- SI6993DQ-T1-E3
- SI4830ADY-T1-E3
- SI1913EDH-T1-E3
- SI1035X-T1-E3
- NTJD4401NT4G
- FDW2503NZ
- FDW2507NZ
- NTHD2102PT1
- BSO215C
- ZDM4306NTA
- NVMFD5483NLT3G
- SQ4284EY-T1_GE3
- BUK7K12-60EX
- BUK7K6R8-40E,115
- SIR770DP-T1-GE3
- BSZ0909NDXTMA1
- IPG20N06S2L50ATMA1
- IRF7506TRPBF
- QS8M11TCR