Rohm Semiconductor - SH8M13GZETB

KEY Part #: K6525383

SH8M13GZETB 価格設定(USD) [243798個在庫]

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品番:
SH8M13GZETB
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor SH8M13GZETB electronic components. SH8M13GZETB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SH8M13GZETB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SH8M13GZETB 製品の属性

品番 : SH8M13GZETB
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MIDDLE POWER MOSFET SERIES DUAL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : -
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A, 7A
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 29 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 18nC @ 5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1200pF @ 10V
パワー-最大 : 2W
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SOP