ON Semiconductor - FDG6332C-F085P

KEY Part #: K6525488

FDG6332C-F085P 価格設定(USD) [571366個在庫]

  • 1 pcs$0.06474

品番:
FDG6332C-F085P
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DUAL NP MOS SC70-6 20V.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDG6332C-F085P electronic components. FDG6332C-F085P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG6332C-F085P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDG6332C-F085P 製品の属性

品番 : FDG6332C-F085P
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DUAL NP MOS SC70-6 20V
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N and P-Channel
FET機能 : Standard
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, 420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 113pF @ 10V, 114pF @ 10V
パワー-最大 : 300mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ : SC-88/SC70-6/SOT-363

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3989EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CH 30V 2.5A 6TSOP.

  • 2N6028G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027G

    ON Semiconductor

    TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRMG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6028RLRPG

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.

  • 2N6027RL1G

    ON Semiconductor

    THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92.