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- 品番:
- FDG6301N-F085P
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDG6301N-F085P electronic components. FDG6301N-F085P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDG6301N-F085P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDG6301N-F085P 製品の属性
品番 :
FDG6301N-F085P
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
DUAL NMOS SC70-6 25V 4OHM
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
220mA (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
4 Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
0.4nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9.5pF @ 10V
パワー-最大 :
300mW
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-6
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